2009年7月自考02342非线性电子电路真题及答案（浙江）

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        自考02342非线性电子电路真题、资料、教材

浙江2009年7月高等教育自学考试

非线性电子电路试题

课程代码:02342

        一、填空题(本大题共10小题，每小题1分，共10分)

        请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。

        1.在P型半导体中，导电时以______为主。

        2.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于______。

        3.晶体三极管工作在放大区时，IC=______IB。

        4.晶体三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置和______结反向偏置。

        5.场效应管工作在非饱和区时，其ID和VDS之间呈______关系。

        6.通常将开始形成反型层所需的VGS值称为______电压。

        7.三种晶体三极管基本组态放大电路中，______组态输入电阻小。

        8.已知某晶体三极管的高频参数fT、β，则共基截止频率fα约为______。

        9.需要一个阻抗变换电路，其输入电阻小，应引入______负反馈电路。

        10.为充分提高负反馈的效果，串联负反馈要求信号源内阻______。

        二、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分)

        在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。

        1.半导体中的载流子是指（ ）

        A.自由电子

        B.空穴

        C.离子

        D.自由电子和空穴

        2.稳压二极管在稳压状态时，它的PN结处在______状态。（ ）

        A.反向截止

        B.反向击穿

        C.正向导通

        D.零偏

        3.测得三极管IB=30μA时，IC=2.4mA，而IB=40μA时，IC=3mA，则该管的交流电流放大倍数为（ ）

        A.80

        B.60

        C.75

        D.100

        4.晶体三极管的输出特性曲线分为四个区，请问哪个区具有基区宽度调制效应？（ ）

        A.饱和区

        B.截止区

        C.放大区

        D.击穿区

        5.根据场效应管的转移特性，可知场效应管是一种______器件。（ ）

        A.电压控制电压源

        B.电流控制电压源

        C.电压控制电流源

        D.电流控制电流源

        6.某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（ ）

        A.P沟道耗尽型MOS管

        B.N沟道耗尽型MOS管

        C.P沟道增强型MOS管

        D.N沟道增强型MOS管

        7.共集电极放大电路的特点之一是（ ）

        A.输入电阻高

        B.电压增益大

        C.输入输出反相

        D.输出电阻高

        8.集成运算放大器实质上是一种（ ）

        A.交流放大器

        B.高增益的交流放大器

        C.高增益的直接耦合放大器

        D.高增益的高频放大器

        9.负反馈可以改善放大器的性能，问关于放大器下述哪种说法不正确？（ ）

        A.减少放大器的增益

        B.改变输入电阻

        C.改变输出电阻

        D.改善信号源的噪声系数

        10.某放大电路的电压增益为40dB，而加入负反馈后变为6dB，它的反馈深度F为（ ）

        A.30dB

        B.34dB

        C.46dB

        D.50dB

        11.温度增加时，在ID不变的情况下，晶体二极管的VD（on）将（ ）

        A.增大

        B.减小

        C.不变

        D.未知

        12.已知某晶体三极管的β=99，则该管的共基电流放大系数α为（ ）

        A.1.00

        B.0.995

        C.0.99

        D.0.985

        13.当场效应管的VGS<vgs(th)时，则该管工作在（ ）

        A.饱和区

        B.非饱和区

        C.击穿区

        D.截止区

        14.要求晶体管工作在放大区，若是NPN晶体管，则三个电极电位VB、VE、VC之间应满足何种关系？（ ）

        A.VC>VB>VE

        B.VC>VE>VB

        C.VC<vb

        D.VC<ve<vb< p="">

        15.反馈放大器工作在开环状态是指（ ）

        A.考虑信号源作用

        B.接入反馈网络

        C.断开反馈网络

        D.考虑负载作用

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